CSD75207W15 Datenblatt
Technische Daten für CSD75207W15
Artikelnummer : CSD75207W15
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 162 mOhm @ 1A, 1.8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 595pF @ 10V
Leistung max : 700mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 9-UFBGA, DSBGA
Supplier Device Package : 9-DSBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD75207W15
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1832310 Stücke
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