CSD85312Q3E Datenblatt
Technische Daten für CSD85312Q3E
Artikelnummer : CSD85312Q3E
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion : Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2390pF @ 10V
Leistung max : 2.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : 8-VSON (3.3x3.3)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD85312Q3E
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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