CSD86336Q3D Datenblatt
Technische Daten für CSD86336Q3D
Artikelnummer : CSD86336Q3D
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Leistung max : 6W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 125°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-VSON (3.3x3.3)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD86336Q3D
Hersteller
Kurze Beschreibung
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
637405 Stücke
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