CSD87335Q3DT Datenblatt
Technische Daten für CSD87335Q3DT
Artikelnummer : CSD87335Q3DT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 25A
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 15V
Leistung max : 6W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerLDFN
Supplier Device Package : 8-LSON (3.3x3.3)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD87335Q3DT
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 25A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
361920 Stücke
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