CXDM3069N TR Datenblatt
Technische Daten für CXDM3069N TR
Artikelnummer : CXDM3069N TR
Hersteller : Central Semiconductor Corp
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 580pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-89
Paket / fall : TO-243AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CXDM3069N TR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1217720 Stücke
Referenzpreis
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