CY62147GE18-55BVXIT Datenblatt
Technische Daten für CY62147GE18-55BVXIT
Artikelnummer : CY62147GE18-55BVXIT
Hersteller : Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung : IC SRAM 4M PARALLEL
Serie : MoBL®
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Asynchronous
Speichergröße : 4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 55ns
Zugriffszeit : 55ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 48-VFBGA
Supplier Device Package : 48-VFBGA (6x8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 4M PARALLEL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
108400 Stücke
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