DDTD113EC-7-F Datenblatt
Technische Daten für DDTD113EC-7-F
Artikelnummer :
DDTD113EC-7-F
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
33 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
200MHz
Leistung max :
200mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7785660 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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