DMG1016V-7 Datenblatt
Technische Daten für DMG1016V-7
Artikelnummer : DMG1016V-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 870mA, 640mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60.67pF @ 16V
Leistung max : 530mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : SOT-563
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-DMG1016V-7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3899970 Stücke
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