DMN2005DLP4K-7 Datenblatt
Technische Daten für DMN2005DLP4K-7
Artikelnummer : DMN2005DLP4K-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 400mW
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : X2-DFN1310-6 (Type B)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2900780 Stücke
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