DMN2010UDZ-7 Datenblatt
Technische Daten für DMN2010UDZ-7
Artikelnummer : DMN2010UDZ-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 24V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2665pF @ 10V
Leistung max : 700mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : U-DFN2535-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-DMN2010UDZ-7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1085430 Stücke
Referenzpreis
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