DMN3016LDN-13 Datenblatt
Technische Daten für DMN3016LDN-13
Artikelnummer : DMN3016LDN-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1415pF @ 15V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : V-DFN3030-8 (Type J)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2312590 Stücke
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