DMN3033LSNQ-7 Datenblatt
Technische Daten für DMN3033LSNQ-7
Artikelnummer : DMN3033LSNQ-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-59
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2231480 Stücke
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