DMN30H4D0LFDE-13 Datenblatt
Technische Daten für DMN30H4D0LFDE-13
Artikelnummer : DMN30H4D0LFDE-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 187.3pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 630mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3917290 Stücke
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