DMN65D8LDW-7 Datenblatt
Technische Daten für DMN65D8LDW-7
Artikelnummer : DMN65D8LDW-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Leistung max : 300mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-DMN65D8LDW-7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6224795 Stücke
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