DMP210DUFB4-7B Datenblatt
Technische Daten für DMP210DUFB4-7B
Artikelnummer : DMP210DUFB4-7B
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 175pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 350mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : X2-DFN1006-3
Paket / fall : 3-XFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
11407830 Stücke
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