DMT69M8LSS-13 Datenblatt
Technische Daten für DMT69M8LSS-13
Artikelnummer : DMT69M8LSS-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1925pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
52770 Stücke
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