DMT8012LFG-7 PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Technische Daten für DMT8012LFG-7

Artikelnummer : DMT8012LFG-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Ta), 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1949pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerDI3333-8

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

DMT8012LFG-7

Interne Teilenummer

AX-DMT8012LFG-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1019105 Stücke

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DMT8012LFG-7 Datenblatt

Technische Daten für DMT8012LFG-7

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