DTD123TSTP Datenblatt
Technische Daten für DTD123TSTP
Artikelnummer : DTD123TSTP
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 40V
Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 100 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 200MHz
Leistung max : 300mW
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : SC-72 Formed Leads
Supplier Device Package : SPT
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-DTD123TSTP
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21480 Stücke
Referenzpreis
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