ECH8309-TL-H Datenblatt
Technische Daten für ECH8309-TL-H
Artikelnummer : ECH8309-TL-H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1780pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-ECH
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-ECH8309-TL-H
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1632415 Stücke
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