ECH8690-TL-H Datenblatt
Technische Daten für ECH8690-TL-H
Artikelnummer : ECH8690-TL-H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate, 4V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.7A, 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 955pF @ 20V
Leistung max : 1.5W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : 8-ECH
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-ECH8690-TL-H
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1451960 Stücke
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