EFC6612R-A-TF Datenblatt
Technische Daten für EFC6612R-A-TF
Artikelnummer : EFC6612R-A-TF
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 2.5W
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-SMD, No Lead
Supplier Device Package : 6-CSP (1.77x3.54)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28574 Stücke
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