EMH4T2R Datenblatt
Technische Daten für EMH4T2R
Artikelnummer : EMH4T2R
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 150mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : EMT6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EMH4T2R
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4595645 Stücke
Referenzpreis
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