EPC2018 Datenblatt
Technische Daten für EPC2018
Artikelnummer : EPC2018
Hersteller : EPC
Beschreibung : GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Die
Paket / fall : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2018
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
17560 Stücke
Referenzpreis
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