Technische Daten für EPC2033

Artikelnummer : EPC2033
Hersteller : EPC
Beschreibung : GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 31A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1140pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Die
Paket / fall : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
95770 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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