EPC2110ENGRT Datenblatt
Technische Daten für EPC2110ENGRT
Artikelnummer : EPC2110ENGRT
Hersteller : EPC
Beschreibung : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 60V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2110ENGRT
Hersteller
Kurze Beschreibung
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
457535 Stücke
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