Technische Daten für FCPF190N65S3R0L

Artikelnummer : FCPF190N65S3R0L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : SUPERFET3 650V TO220F PKG
Serie : SuperFET® III
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 144W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220F-3
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
SUPERFET3 650V TO220F PKG
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
153310 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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