FDB6030L Datenblatt
Technische Daten für FDB6030L
Artikelnummer : FDB6030L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 48A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 52W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263AB
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDB6030L
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
66035 Stücke
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