FDD2570 Datenblatt
Technische Daten für FDD2570
Artikelnummer : FDD2570
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1907pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDD2570
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
69345 Stücke
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