FDG6301N-F085P Datenblatt
Technische Daten für FDG6301N-F085P
Artikelnummer : FDG6301N-F085P
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 10V
Leistung max : 300mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-70-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
29029 Stücke
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