FDG6321C-F169 Datenblatt
Technische Daten für FDG6321C-F169
Artikelnummer : FDG6321C-F169
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 500mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Leistung max : 300mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
29211 Stücke
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