FDMS1D2N03DSD Datenblatt
Technische Daten für FDMS1D2N03DSD
Artikelnummer : FDMS1D2N03DSD
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : PT11N 30/12 PT11N 30/12
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.25 mOhm @ 19A, 10V, 0.97 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Leistung max : 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
PT11N 30/12 PT11N 30/12
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
370445 Stücke
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