FDP8D5N10C Datenblatt
Technische Daten für FDP8D5N10C
Artikelnummer : FDP8D5N10C
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : FET ENGR DEV-NOT REL
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2475pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDP8D5N10C
Hersteller
Kurze Beschreibung
FET ENGR DEV-NOT REL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
199300 Stücke
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