FGA30T65SHD Datenblatt
Technische Daten für FGA30T65SHD
Artikelnummer : FGA30T65SHD
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 90A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 30A
Leistung max : 238W
Energie wechseln : 598µJ (on), 167µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 54.7nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 14.4ns/52.8ns
Testbedingung : 400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 31.8ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package : TO-3PN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FGA30T65SHD
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
174430 Stücke
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