FQAF19N20L Datenblatt
Technische Daten für FQAF19N20L
Artikelnummer : FQAF19N20L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF
Serie : QFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 85W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3PF
Paket / fall : TO-3P-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FQAF19N20L
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
70615 Stücke
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