FQI5N60CTU PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

Technische Daten für FQI5N60CTU

Artikelnummer : FQI5N60CTU

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 670pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.13W (Ta), 100W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK (TO-262)

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

FQI5N60CTU

Interne Teilenummer

AX-FQI5N60CTU

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

912420 Stücke

Referenzpreis

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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FQI5N60CTU Datenblatt

Technische Daten für FQI5N60CTU

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