FQP6N90C PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 900V 6A TO-220

Technische Daten für FQP6N90C

Artikelnummer : FQP6N90C

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 6A TO-220

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1770pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 167W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

FQP6N90C

Interne Teilenummer

AX-FQP6N90C

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 6A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

174475 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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XCR3384XL-12FT256I	Xilinx Inc.	IC CPLD 384MC 10.8NS 256BGA
XC2C512-7PQG208C	Xilinx Inc.	IC CPLD 512MC 7.1NS 208QFP
EPM2210GF324C4	Intel	IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA

FQP6N90C Datenblatt

Technische Daten für FQP6N90C

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