FQT4N25TF PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

Technische Daten für FQT4N25TF

Artikelnummer : FQT4N25TF

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 830mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 415mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-223-4

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

FQT4N25TF

Interne Teilenummer

AX-FQT4N25TF

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1832025 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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FQT4N25TF Datenblatt

Technische Daten für FQT4N25TF

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