FQT7N10LTF Datenblatt
Technische Daten für FQT7N10LTF
Artikelnummer : FQT7N10LTF
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223-4
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FQT7N10LTF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2293085 Stücke
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