FQU2N50BTU-WS Datenblatt
Technische Daten für FQU2N50BTU-WS
Artikelnummer : FQU2N50BTU-WS
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1311475 Stücke
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