GA100JT12-227 Datenblatt
Technische Daten für GA100JT12-227
Artikelnummer : GA100JT12-227
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 100A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 800V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 535W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21896 Stücke
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