GA20JT12-263 Datenblatt
Technische Daten für GA20JT12-263
Artikelnummer : GA20JT12-263
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 1200V 45A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3091pF @ 800V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 282W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK (7-Lead)
Paket / fall : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-GA20JT12-263
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 1200V 45A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
20408 Stücke
Referenzpreis
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