GA50JT12-247 Datenblatt
Technische Daten für GA50JT12-247
Artikelnummer : GA50JT12-247
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 1.2KV 50A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7209pF @ 800V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 583W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AB
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-GA50JT12-247
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 1.2KV 50A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7168 Stücke
Referenzpreis
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