GB2X100MPS12-227 Datenblatt
Technische Daten für GB2X100MPS12-227
Artikelnummer : GB2X100MPS12-227
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 2 Independent
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 185A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 100A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 80µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package : SOT-227
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5032 Stücke
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