GSID100A120T2C1 Datenblatt
Technische Daten für GSID100A120T2C1
Artikelnummer : GSID100A120T2C1
Hersteller : Global Power Technologies Group
Beschreibung : SILICON IGBT MODULES
Serie : Amp+™
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 200A
Leistung max : 640W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 13.7nF @ 25V
Eingang : Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6088 Stücke
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