GT10J312(Q) Datenblatt
Technische Daten für GT10J312(Q)
Artikelnummer : GT10J312(Q)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 20A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Leistung max : 60W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : -
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 400ns/400ns
Testbedingung : 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 200ns
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : TO-220SM
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-GT10J312(Q)
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
56610 Stücke
Referenzpreis
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