GT60N321(Q) Datenblatt
Technische Daten für GT60N321(Q)
Artikelnummer : GT60N321(Q)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1000V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.8V @ 15V, 60A
Leistung max : 170W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : -
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 330ns/700ns
Testbedingung : -
Reverse Recovery Time (trr) : 2.5µs
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-3PL
Supplier Device Package : TO-3P(LH)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-GT60N321(Q)
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
56610 Stücke
Referenzpreis
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