H5N2307LSTL-E PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH HS SW TO-263

Technische Daten für H5N2307LSTL-E

Artikelnummer : H5N2307LSTL-E

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH HS SW TO-263

Serie : *

Teilestatus : Last Time Buy

FET-Typ : -

Technologie : -

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : -

Supplier Device Package : -

Paket / fall : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

H5N2307LSTL-E

Interne Teilenummer

AX-H5N2307LSTL-E

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH HS SW TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

23940 Stücke

Referenzpreis

~~USD 0~~

Unser Preis

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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H5N2307LSTL-E Datenblatt

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