HAT2088R-EL-E Datenblatt
Technische Daten für HAT2088R-EL-E
Artikelnummer : HAT2088R-EL-E
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9218 Stücke
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