HCT7000M Datenblatt
Technische Daten für HCT7000M
Artikelnummer : HCT7000M
Hersteller : TT Electronics/Optek Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 3-SMD
Paket / fall : 3-SMD, No Lead
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-HCT7000M
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
30730 Stücke
Referenzpreis
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