HGT1S10N120BNST Datenblatt
Technische Daten für HGT1S10N120BNST
Artikelnummer : HGT1S10N120BNST
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Leistung max : 298W
Energie wechseln : 320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 23ns/165ns
Testbedingung : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
259345 Stücke
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